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IC・電子部品 2017.10.05

高速スイッチングのための第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650 Vを発表

基板の窓口編集部

独インフィニオンテクノロジーズは、2017年9月26日(ドイツ ミュンヘン)に、第6世代となるCoolSiC Schottkyダイオード650 Vを発表した。このCoolSiCダイオードファミリの最新製品は第5世代の独自の特性をさらに発展させ、信頼性、品質、および効率の向上を実現している。第6世代CoolSiCは600 Vと650 V CoolMOS 7ファミリに最適なコンパニオン製品である。これらは従来と将来のサーバとPC用電源、通信機器用電源、およびPVインバータをターゲットとしている。

第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650 Vには新しいレイアウト、新しいセル構造、および新しい同社独自のSchottkyメタルシステムが採用されている。この結果として業界ベンチマークとなるVF(1.25 V)と、従来世代を17%下回るQc x VF性能指数(FOM)を実現している。またこの新しい第6世代ダイオードはSiCの強力な非温度依存スイッチング動作を活用し、逆回復電荷に影響されない。

このデバイスの設計はあらゆる負荷状況において効率を改善し、またシステムパワー密度を高めている。したがってこの第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650 Vでは冷却の必要が軽減され、システムの信頼性が向上し、また極めて高速なスイッチングが可能である。この新しいデバイスは最高の価格性能比を持つSiCダイオード世代でもある。

第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650 Vはすでに出荷が開始されている。

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カテゴリ:IC・電子部品

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