ホワイトペーパー「SiCとGaNのパワーデバイスが拡大 - 部品データと基板製造現場が示すこと」公開

10月26日(月)、Global Electronics Association（旧IPC）が、電子部品データなどを提供する Accuris と共同でホワイトペーパー "SiC and GaN Power Devices Are Expanding — What the Parts Data (and the Fab Floor) Tell Us"（SiCとGaNのパワーデバイスが拡大 - 部品データと基板製造現場が示すこと）を公開したと発表。 技術・市場動向を扱う共同シリーズの第1弾。

Accurisの部品データベースを分析したもので、SiCの新規部品投入数は2012年の243から2024年に過去最高の1,057へ増加、GaNはピークで141。パワーMOSFETは耐圧650Vを境にSiCとGaNが分かれ、基板の作り方も変わる。GaN基板は銅厚1-3oz、スタック/スタガードマイクロビア、低損失材料とHDI寄りで、SiC基板は銅厚2-6oz(10oz超も)、スルーホールビア、高Tg・セラミック充填材料と厚銅寄り。

AIデータセンター電源では両方の特性が同時に求められつつあり、両方に対応できる基板メーカーが有利と指摘。部品のライフサイクルでは、現行品の比率がSiC 71%に対しGaN 41%で、GaNは22%がすでに製造中止。

詳細は https://www.electronics.org/news-release/silicon-carbide-and-gallium-nitride-play-growing-role-electronics-design-manufacturing に。ホワイトペーパー(PDF, 全7頁, 666KB)のダウンロードは https://www.electronics.org/galliumsilicon-carbide-white-paper から。

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