パワーデバイス ウェハーテスト ワイヤープローブ多面同側仕様

同社のワイヤープローブは、コイルバネ式プローブに比べて狭ピッチでの設定が可能。４端子測定法（ケルビン測定）など、配線抵抗を無視して測定を行いたい場合に好適である。狭ピッチでの設定により単位面積当たりの電流容量が大きいことも特徴である。

最小ピッチ40umでの設定が可能であり、小型化を続ける基板の電気検査を可能とする。パワー半導体の分野では、狭いエリアに大電流を流す事にも用いられている。今後半導体の素材がシリコンからSiC（シリコンカーバイト）となり、より大電流を流す必要が出てくると、コイルバネ式プローブでは単位面積当たりの電流容量が足りなくなるケースが増えると予想される。ワイヤープローブであれば更に大きな電流値への対応が可能である。

基板最先端の電気検査はもとより、パワー半導体のチップテスト・ウェハテストの実績を有する。パワー半導体の電気特性試験は従来、ウェハのダイシング後のチップの状態で行う事が多かったが、近年ではウェハ状態での電気特性試験のニーズが増えており、同社は先だって開発を行ったため同分野での実績が多い。