富士通インターコネクトテクノロジーズ(株)は、富士通(株)、(株)富士通研究所、富士通アドバンストテクノロジ(株)の協力を得て、薄膜キャパシタ(TFC=Thin Film Capacitor)内蔵技術を開発し、次世代ハイエンドサーバ向けにサンプル基板の出荷を開始した。
本技術では、大容量のバイパスキャパシタを半導体の直下に設置可能で、高周波領域に対応したTFC内蔵技術である。半導体サブストレートに使用される基板構造(GigaModule-EC)に適用する。基板構造は2種類の構成が可能であり、ハイエンド機器からウエアラブル機器まで幅広く対応することが出来る。1.0μF/c㎡のキャパシタをコアレス基板にも内蔵可能。
主な特長は、
①GigaModule-2EC(大型、高性能な半導体チップに対応するため、ビルドアップ基板のコア層に内蔵)②GigaModule-4EC(高密度、薄型化に対応するため、コアレス基板のビルドアップ層に内蔵)