MOS-FETとは

metal oxide semiconductor field effect transistor

MOSFETは、ゲートの絶縁に酸化膜を用いたFETである。G-S間の電圧により大電流を制御でき、パワートランジスタと比較して駆動回路を簡略化できる。また、低電圧用途では、飽和領域におけるD-S間抵抗値が非常に小さい（数mΩ〜数Ω）ため、パワートランジスタよりも損失が少なくなる。ここで、Gはgate、Dはdrain、Sはsourceを表す。